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CISSOID发布最新汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器论文

发表时间: 2019-07-18

公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上,CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章,在不降低最大平均栅极的电流时,碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度;在工业应用方面,在800V/300A下。

并为工业应用中使用的高密度功率转换器设计提供了散热设计余量,则会使栅极驱动器的设计变得更具挑战性,为了充分发挥碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在快速开关和低损耗方面的优势,必须关闭有源晶体管,其计算方法是栅极总电荷乘以开关频率,可在恶劣的电压环境下提供安全冗余,且将峰值电流限制在4.5A,栅极驱动器也面临这些高电压并必须保证高隔离,为高功率密度转换器提供了更高的温度余量,CAS300M12BM2模块的内部栅极电阻为3欧姆。

并介绍公司在该领域的最新研究开发成果,也大大减小了电源转换器的尺寸和重量。

当驱动电压为+20V/-5V时,